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半电波暗室的技术指标
发布时间:2017-03-16

  半电波暗室指四壁、天花板上安装吸波材料,地板采用金属导电平面,模拟开阔场,主要用于电磁兼容测量(包括电磁辐射发射测量和电磁辐射抗扰度测量),其中,电磁辐射抗扰度试验还需要在地板上增加额外的吸波材料。

半电波暗室的主要指标有:屏蔽效能、归一化场地衰减(nsa)、场地电压驻波比(s-vswr)、场均匀性和背景噪声来衡量。

开阔场测试

一般,电磁兼容辐射发射测量在开阔场进行。例如cispr-16,规定了开阔试验场的结构特征:平坦、空旷、电导率均匀良好、无任何反射的椭圆试验场地(有如下关系)。椭圆焦点的距离即为测量距离(标准由:3m,10m,30m)...其中,e为ed和et的矢量和。

1、尺寸&暗室高度

暗室长、宽、高是相对于被试品的Zui大尺寸,由电波暗室性能指标以及执行emc标准确定。一般讲eut放置于转台上,转台边缘距吸波材料Zui小距离为1米。

暗室净空尺寸:若收发距离为l,则暗室净空间的长度为2l,宽度为√3l,高度一般由以下公式得出:h=√3/2l+2

在暗室净空尺寸的基础上加上吸波材料的高度,使粘贴完吸波材料的暗室净空尺寸满足上述要求。

2、静区尺寸

暗室静区是指暗室内受反射干扰Zui弱的区域,尺寸大小与暗室的形状、大小、结构、工作频率,所用吸波材料的电性能、静区所要求的反射电平、静区的形状等因素有关。

静区尺寸不得小于eut尺寸。

3、屏蔽效能

定义

没有屏蔽体时,空间某点的电场强度e0,磁场强度为h0;有屏蔽体时,被屏蔽空间在该店的电场强度e1,磁场强度h1。屏蔽效能的数和对数形式可表示为:

屏蔽效能的影响因素

屏蔽效果的好坏不仅与屏蔽材料的性能有关,也与壳体上的各种缝隙、孔洞有关。(人工焊接和屏蔽门等都非常重要。)

人工焊接技术:屏蔽体采用屏蔽钢板拼装方式,焊接使用导电衬垫,这样既能提高屏蔽效能,而且能保护钢板的平整度。保持整个壳体的电连续性。通风窗采用蜂窝式截止波导窗(具有高通滤波器特性)。防止电磁能量泄漏。

屏蔽门:平行开闭,减少插簧摩擦。

4、归一化场地衰减(nsa)

关联性

它只与场地特性和测试几何位置有关,与收、发天线本身特性无关。例如cispr16-1-4标准,在水平的中心、左、右、前、后5个位置,水平、垂直两个极化方向和两个高度进行测试。

5、场地电压驻波比

空间驻波

空间驻波是由直射信号和反射信号叠加产生的。数值表现为信号幅度的Zui大值和Zui小值之比。所以反射信号越强,产生的空间驻波就越大。iec于2007年以svswr测试取代了1ghz以上的nsa测试。svswr测试的目的是评估暗室内是否存在超过电平限制要求的电磁反射。从而避免eut的形状和尺寸对辐射发射测试造成影响。参见下图,场地电压驻波比测试时,吸收体的布置。

6、场均匀性

测量意义

该指标保证了暗室中进行电磁辐射抗扰度试验的准确性。抗扰度试验中要求在eut中产生规定的均匀场强(上图为长均匀性的测试摆放)。将图中,左上角部分放大,可得到如下图所示。抗扰度测试中要求在eut中产生规定的均匀场强。(如3v/m,10v/m,30v/m)

在1.5m*1.5m区域内测量(0.5m*0.5m为Zui小场均区域),距转台0.8m,测试时地面铺设高复合吸波材料,在测试中使用校准场的天线和电缆。标准区域内75%的表面上幅值在标称值的0db到+6db范围内称为场均匀。

7、背景噪声/电磁环境电平

电磁环境电平是指,在eut断电但辅助设备通电时,试验场地的传导和耦合电平与频率的关系通常叫该场地的电磁环境电平/背景噪声。电磁环境电平至少低于规定极限值6db。

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